[发明专利]具有命令/地址管脚的与非闪存以及包括其的闪存系统无效
申请号: | 200710144164.1 | 申请日: | 2007-12-29 |
公开(公告)号: | CN101221809A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 林田泽 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种NAND闪存,其中命令/地址管脚与数据输入/输出管脚相分离。该NAND闪存包括:用于存储数据的存储单元阵列;命令/地址管脚,通过该管脚接收用于在存储单元阵列中传输数据的命令和地址;以及数据输入/输出管脚,通过该管脚在存储单元阵列中传输数据。该NAND闪存中的命令/地址管脚与数据输入/输出管脚相分离。数据输入/输出速度被提高了。此外,该NAND闪存能够以最小延迟时间执行存储体交错存取操作。 | ||
搜索关键词: | 具有 命令 地址 管脚 闪存 以及 包括 系统 | ||
【主权项】:
1.一种NAND闪存,其包含:存储数据的存储单元阵列;命令/地址管脚,通过其接收用于传输数据的命令和地址;以及数据输入/输出管脚,通过其传输存储单元阵列内的数据。
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