[发明专利]五氧化二钽改性二硅化钼基复合材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200710144487.0 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101177349A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 方双全;张晓红;乔英杰;刘爱东 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区南通*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种五氧化二钽改性二硅化钼基复合材料及其制备方法。按照重量百分比为五氧化二钽1％－7％、MoSi293％－99％的比例将各原料混合均匀，进行超声波分散和球磨混合后得到干燥粉体，将干燥粉体置于真空热压烧结炉中，在1400℃进行烧结得到五氧化二钽改性二硅化钼基复合材料。采用本发明的方法制备的Ta2O5掺杂MoSi2复合材料具有比强度高、耐高温、耐腐蚀、抗高温氧化、抗热震能力强的特点，并且是一种具备良好导电导热性的新型高性能高温结构材料。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 改性 二硅化钼基 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种五氧化二钽改性二硅化钼基复合材料，其特征是：它由重量百分比为五氧化二钽1％-7％和MoSi293％-99％的粉体经过热压烧结制成。
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