[发明专利]像素结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种像素结构的制作方法，包括下列步骤：首先，提供一基板，并形成栅极于基板上。接着，形成栅介电层于基板上以覆盖栅极。然后，形成通道层于栅极上方的栅介电层上。之后，形成源极与漏极于栅极两侧的通道层上，栅极、通道层、源极与漏极构成薄膜晶体管。接着，形成保护层于栅介电层与薄膜晶体管上，并提供一暴露出部分保护层的第一屏蔽于保护层上方，再使用激光经由第一屏蔽照射保护层以去除部分保护层而暴露出漏极。之后，形成导电层以覆盖保护层与暴露的漏极，并通过保护层使导电层图案化，以形成像素电极。

主权项

1.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板；形成一栅极于该基板上；形成一栅介电层于该基板上，以覆盖该栅极；形成一通道层于该栅极上方的该栅介电层上；形成一源极以及一漏极于该栅极两侧的该通道层上，其中该栅极、该通道层、该源极以及该漏极构成一薄膜晶体管；形成一保护层于该栅介电层与该薄膜晶体管上；提供一第一屏蔽于该保护层上方，且该第一屏蔽暴露出部分该保护层；使用激光经由该第一屏蔽照射该保护层，以剥离所暴露出的部分该保护层，形成一暴露出该漏极的图案化保护层；以及形成一导电层，以覆盖该图案化保护层与暴露的该漏极，并且通过该图案化保护层使该导电层图案化，以形成一像素电极。