[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710145691.4 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101217106A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 郑镇基 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/308;H01L21/3213;H01L21/768;H01L21/8242;H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：在包括单元区域和周边区域的衬底上形成蚀刻目标层；在所述单元区域中的蚀刻目标层上形成具有第一部分和第二部分的第一掩模图案，以及在所述周边区域中的蚀刻目标层上形成具有第一部分和第二部分的第二掩模图案；在所述单元区域上形成光刻胶图案；修整所述第二掩模图案的第一部分；移除所述光刻胶图案以及第一掩模图案的第二部分和第二掩模图案的第二部分；蚀刻所述蚀刻目标层以在所述单元区域和所述周边区域中形成图案。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在包括单元区域和周边区域的衬底上形成蚀刻目标层；在所述单元区域中的所述蚀刻目标层上形成具有第一部分和第二部分的第一掩模图案，以及在所述周边区域中的所述蚀刻目标层上形成具有第一部分和第二部分的第二掩模图案；在所述单元区域上形成光刻胶图案；修整所述第二掩模图案的所述第一部分；移除所述光刻胶图案和所述第一掩模图案的所述第二部分以及所述第二掩模图案的所述第二部分；和蚀刻所述蚀刻目标层以在所述单元区域中形成图案和在所述周边区域中形成图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710145691.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：行为采集分析方法及系统
- 下一篇：一种移动数字广播网络的充值方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
