[发明专利]特征光谱识别芯片、其制造方法及使用该芯片的检测装置无效
申请号: | 200710145713.7 | 申请日: | 2007-08-31 |
公开(公告)号: | CN101378067A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 邵剑心;樊斌 | 申请(专利权)人: | 明荧光学有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82;G01N21/31;G01N21/64;G01J3/02 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 董方源 |
地址: | 英属维尔京*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于特征光谱识别的半导体芯片及其制造方法,以及利用该芯片对吸收光谱、荧光光谱进行测量的特征光谱识别装置和生物芯片扫描装置。根据本发明的特征光谱识别芯片包括阵列式半导体光学传感器,传感器阵列结构中包括至少一个检测像素和至少一个参考像素;该芯片还包括至少一个光学滤光片,每个检测像素的表面被对应的光学滤光片覆盖。每个光学滤光片具有特征波长,使得以特征波长为中心的预定宽度范围内的波长能够经过光学滤光片透射,而这个范围之外的波长不能透射。根据本发明,可以利用半导体工艺以低成本制造特征光谱识别芯片,并可以方便地制作体积小、成本低的吸收光谱测量仪和荧光光谱测量仪以及生物微阵列芯片。 | ||
搜索关键词: | 特征 光谱 识别 芯片 制造 方法 使用 检测 装置 | ||
【主权项】:
1.一种特征光谱识别芯片,其特征在于:所述特征光谱识别芯片包括阵列式半导体光学传感器,所述半导体光学传感器的阵列式结构中包括至少一个检测像素和至少一个参考像素,所述特征光谱识别芯片还包括至少一个光学滤光片,每个所述检测像素的表面被对应的光学滤光片覆盖,每个所述光学滤光片具有特征波长,使得以所述特征波长为中心的预定宽度范围内的波长能够经过所述光学滤光片透射,而所述范围之外的波长不能透射。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于明荧光学有限公司,未经明荧光学有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710145713.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种模具入子和设有该模具入子的模仁
- 下一篇:一种铜排绝缘层注塑模具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的