[发明专利]相移光掩模及其制造方法无效
申请号: | 200710145848.3 | 申请日: | 2007-08-30 |
公开(公告)号: | CN101144971A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 斯科特·艾伦·安德森;小伊·陈;迈克尔·N·格里姆博根;阿杰伊·库玛 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种包含在透明衬底上形成的构图膜叠层的相移光掩模以及制造该光掩模的方法。在一实施方式中,膜叠层包括具有对光刻系统的照射源的光具有预定的透明度值的第一层和基本对光透明并有助于光产生预定相移的第二层。 | ||
搜索关键词: | 相移 光掩模 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种相移光掩模,包括:对通过光刻系统的照射源产生的光类型基本透明的衬底;以及构图的膜叠层,在所述衬底上形成并具有至少一个开口,所述膜叠层包括:第一层,设置在所述衬底中并具有对所述光的预定的透明度值;以及第二层,设置在所述第一层上,其中选择所述第一层和第二层以使通过所述第一层和第二层的光相对于通过所述开口的光产生180度的相移,其中所述开口贯穿所述第一层和第二层形成。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
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G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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