[发明专利]集成晶体管器件和对应的制造方法无效
| 申请号： | 200710146080.1 | 申请日： | 2007-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101140951A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 罗尔夫·韦兹 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/04;H01L27/085;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成晶体管器件，其包括：半导体衬底；柱，形成在所述半导体衬底中的；栅极沟槽，围绕所述柱；第一源极/漏极区，形成在所述柱的上部区域中；栅极介电层，形成在栅极沟槽的底部上，并围绕所述柱的下部区域；栅极，形成在所述栅极沟槽中的所述栅极介电层上，并围绕所述柱的下部区域；以及至少一个第二源极/漏极区，形成在所述半导体衬底的上部区域中，并与所述栅极沟槽邻接。本发明还提供了对应的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 晶体管 器件 对应 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成晶体管器件，包括：半导体衬底；柱，形成在所述半导体衬底中；栅极沟槽，围绕所述柱；第一源极/漏极区，形成在所述柱的上部区域中；栅极介电层，形成在栅极沟槽的底部上，并围绕所述柱的下部区域；栅极，形成在所述栅极沟槽中的所述栅极介电层上，并围绕所述柱的下部区域；以及至少一个第二源极/漏极区，形成在所述半导体衬底的上部区域中，并与所述栅极沟槽邻接。
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