[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 200710146678.0 | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101132045A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 楚树成;菅博文 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体元件，其具备：第1导电型的硅基板(2a)，具有第1面(S1a)和第2面(S2a)；第2导电型的硅层(4a)，设置在硅基板(2a)的第1面(S1a)上，并具有位于和硅基板(2a)相接合的面的相对侧的第3面(S3a)；第1电极(12a)，设置在第2面(S2a)上；第2电极(14a)，设置在第3面(S3a)上；氩添加区域(6a)，形成在由硅基板(2a)以及硅层(4a)构成的半导体区域中；其中，氩添加区域(6a)包括氩浓度显示为1×1018cm－3以上、2×1020cm－3以下的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，具备：第1导电型的硅基板，具有第1面和位于该第1面的相对侧的第2面；第2导电型的硅层，设置在所述硅基板的所述第1面上，并且具有位于和该硅基板相接合的面的相对侧的第3面；第1电极，设置在所述第2面上；第2电极，设置在所述第3面上；氩添加区域，形成在由所述硅基板以及所述硅层构成的半导体区域中，其中，所述氩添加区域包括氩浓度显示为1×1018cm-3以上、2×1020cm-3以下的区域。
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