[发明专利]限流保护装置及限流保护方法有效
| 申请号： | 200710146686.5 | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101373396A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 朱炳盈 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/32 | 分类号： | G06F1/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种限流保护装置及限流保护方法。此限流保护装置包括MOS晶体管、电流检测单元及限流电路；MOS晶体管的其中一源/漏极用以接收第一电压，另一源/漏极用以输出第二电压，而栅极则用以接收栅极驱动信号，据此决定导通电流的大小；电流检测单元用以检测MOS晶体管的导通电流值，据此产生检测结果；限流电路预设有多个电流临限值，并依据指示信号选择上述电流临限值其中之一，以及依据选定的电流临限值与检测结果二者的差而产生栅极驱动信号。本发明提供的装置及其方法，可防止电源供应器在睡眠模式下超载，进而使计算机系统能顺利地由睡眠模式回复为正常模式。 | ||
| 搜索关键词： | 限流 保护装置 保护 方法 | ||
【主权项】：
1.一种限流保护装置，包括：一MOS晶体管，所述的MOS晶体管的其中一源/漏极用以接收一第一电压，另一源/漏极用以输出一第二电压，而栅极则用以接收一栅极驱动信号，据此决定导通电流的大小；一电流检测单元，用以检测所述的MOS晶体管的导通电流值，据此产生一检测结果；以及一限流电路，预设有多个电流临限值，并依据一第一指示信号选择所述的些电流临限值其中之一，以及依据选定的电流临限值与所述的检测结果二者之差而产生所述的栅极驱动信号。
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