[发明专利]具有横向MOS晶体管和齐纳二极管的半导体器件有效
| 申请号： | 200710147106.4 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101136406A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 高桥茂树;中野敬志;赤木望;樋口安史;藤井哲夫;服部佳晋;桑原诚;冈田京子 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L23/522 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1－3)；设置在衬底(1－3)中的横向MOS晶体管(LTa－LTd)；设置在衬底(1－3)中的齐纳二极管(ZDa－ZDd)；以及设置在衬底(1－3)中的电容器(Ca－Ce)。所述晶体管(LTa－LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa－ZDd)和电容器(Ca－Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 横向 mos 晶体管 齐纳二极管 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底(1-3)；设置在所述衬底(1-3)中的横向MOS晶体管(LTa-LTd)；设置在所述衬底(1-3)中的齐纳二极管(ZDa-ZDd)；以及设置在所述衬底(1-3)中的电容器(Ca-Ce)，其中所述晶体管(LTa-LTd)包括漏极(D)和栅极(G)，以及所述二极管(ZDa-ZDd)和所述电容器(Ca-Ce)串联耦合在所述漏极(D)和所述栅极(G)之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
