[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710147178.9 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101136436A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 高光永 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 夏凯;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括具有阱区域的半导体基板；在阱区域中的导电基体；在基体中的源极；在阱区域的基体外的垂直部分中的漂移区域和漏极；以及在源极和漏极之间的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有第一导电型阱区域的半导体基板；在所述第一导电型阱区域中的导电基体；在所述导电基体中的第一导电型源区；在阱区域的基体外的垂直区域中的第一导电型漂移区域和漏区；以及在所述源区和所述漏区之间的栅电极。
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