[发明专利]薄膜相变存储单元及其制造方法无效
| 申请号： | 200710147733.8 | 申请日： | 2007-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101136453A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | A·G·施罗特;林仲汉;M·J·布赖特维施 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种包括半导体部件和相变材料的存储单元。所述半导体部件限定了凹槽，所述凹槽将所述半导体部件分成第一电极和第二电极。所述相变材料至少部分地填充此凹槽并用于电连接所述第一和第二电极。所述相变材料的至少一部分可用于在较低和较高电阻状态之间切换，以响应将开关信号施加到所述第一和第二电极中的至少一个电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 相变 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元，包括：半导体部件，所述半导体部件限定了凹槽，所述凹槽将所述半导体部件分成第一电极和第二电极；以及相变材料，所述相变材料至少部分地填充所述凹槽并电连接所述第一和第二电极；其中所述相变材料的至少一部分可用于在较低和较高电阻状态之间切换，以响应将开关信号施加到所述第一和第二电极中的至少一个电极。
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