[发明专利]采用反射辐射监控衬底处理无效
| 申请号： | 200710147816.7 | 申请日： | 2001-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101165867A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | Z·隋;H·单;N·约翰松;H·努尔巴赫什;Y·关;C·弗鲁姆;J·袁;C－L·谢 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种衬底处理设备具有一个能处理衬底的腔室，一个提供辐射的辐射源，一个适于将辐射偏振到一个或多个偏振角的辐射偏振器，偏振角选择成与衬底上的被处理部件的取向相关，一个在处理期间检测从衬底反射的辐射并产生信号的辐射检测器，以及一个处理该信号的控制器。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 反射 辐射 监控 衬底 处理 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理设备，包括：(a)一个能处理衬底的腔室；(b)一个提供辐射的辐射源；(c)一个辐射检测器，用于在处理期间检测从所述衬底反射的辐射并产生一个信号；和(d)一个带通滤波器，所述带通滤波器过滤所述信号以便可选择地通过相对于其它信号分量的由所述衬底上正被处理的特征反射的辐射所产生的信号分量，从而相对于其它信号分量增加特征反射的辐射的信号分量的强度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
