[发明专利]闪存器件、操作闪存器件的方法以及该器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710148090.9 | 申请日： | 2007-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101145584A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 郑真孝 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247;G11C16/34;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存器件，该闪存器件包括：具有限定有源区域的场氧化物层的半导体衬底；在该半导体衬底的有源区域的一些部分上形成的栅氧化物层；在该半导体衬底和多晶硅栅的侧壁二者上和/或上方形成的耦合氧化物层；在该耦合氧化物层上和/或上方的浮栅；以及在该浮栅的外部的下部半导体衬底中形成的源区/漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 操作 方法 以及 制造 | ||
【主权项】：
1.一种器件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成的场氧化物层，其中所述场氧化物层限定有源区域；在所述半导体衬底上方形成的栅氧化物层；在所述栅氧化物层上方形成的多晶硅栅；在所述半导体衬底和所述多晶硅栅的侧壁二者的上方都形成的耦合氧化物层；在所述耦合氧化物层上方形成的平面浮栅；以及在所述平面浮栅的外部的下部半导体衬底中形成的源区/漏区。
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