[发明专利]编程电阻存储器件的方法无效
| 申请号： | 200710148167.2 | 申请日： | 2007-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101136247A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 白寅圭;李将银;吴世忠;南坰兑;郑峻昊;林恩京 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供编程RRAM器件的方法。增加的置位电流被施加到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的置位态。增加的复位电压被施加到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的复位态。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 电阻 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种编程RRAM器件的方法，该方法包括：施加增加的置位电流到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的置位态；以及施加增加的复位电压到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的复位态。
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