[发明专利]功率系统抑制方法及其装置和结构有效

专利信息
申请号: 200710148179.5 申请日: 2004-09-10
公开(公告)号: CN101106130A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 约瑟夫·哈拉米克;杰斐逊·W·哈尔 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L27/085 分类号: H01L27/085;H01L27/088;H01L27/098
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种功率控制系统(25)使用两个分开的电流来控制功率控制系统(25)的启动工作。两个电流分流到接地以抑制功率控制系统(25)的工作,且两个电流之一被禁用以使功率耗散最小化。这两个独立受控电流由多输出电流高电压装置(12)响应于两个分开的控制信号(23、24)来产生。
搜索关键词: 功率 系统 抑制 方法 及其 装置 结构
【主权项】:
1.一种高电压多输出电流装置,包括:第一导电类型的衬底;在衬底的第一部分上的第二导电类型的第一区域,第一区域具有一形状和第一周边,其中第一周边的第一部分具有第一轮廓而第一周边的第二部分具有第二轮廓,并且,第一区域为J-FET晶体管的漏极和源极、第一MOS晶体管的漏极、以及第二MOS晶体管的漏极;在衬底上的第二导电类型的第二掺杂区域,它具有第二周边,其中第二周边的一部分与第一周边的第一部分并列,并具有与第一轮廓相同形状的第三轮廓,其中第二掺杂区域为第一MOS晶体管的源极;以及在衬底上的第二导电类型的第三掺杂区域,它具有第三周边,其中第三周边的一部分与第一周边的第二部分并列,并具有与第二轮廓相同形状的第四轮廓,其中第三掺杂区域为第二MOS晶体管的源极。
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