[发明专利]功率系统抑制方法及其装置和结构有效
申请号: | 200710148179.5 | 申请日: | 2004-09-10 |
公开(公告)号: | CN101106130A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·哈拉米克;杰斐逊·W·哈尔 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/085 | 分类号: | H01L27/085;H01L27/088;H01L27/098 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种功率控制系统(25)使用两个分开的电流来控制功率控制系统(25)的启动工作。两个电流分流到接地以抑制功率控制系统(25)的工作,且两个电流之一被禁用以使功率耗散最小化。这两个独立受控电流由多输出电流高电压装置(12)响应于两个分开的控制信号(23、24)来产生。 | ||
搜索关键词: | 功率 系统 抑制 方法 及其 装置 结构 | ||
【主权项】:
1.一种高电压多输出电流装置,包括:第一导电类型的衬底;在衬底的第一部分上的第二导电类型的第一区域,第一区域具有一形状和第一周边,其中第一周边的第一部分具有第一轮廓而第一周边的第二部分具有第二轮廓,并且,第一区域为J-FET晶体管的漏极和源极、第一MOS晶体管的漏极、以及第二MOS晶体管的漏极;在衬底上的第二导电类型的第二掺杂区域,它具有第二周边,其中第二周边的一部分与第一周边的第一部分并列,并具有与第一轮廓相同形状的第三轮廓,其中第二掺杂区域为第一MOS晶体管的源极;以及在衬底上的第二导电类型的第三掺杂区域,它具有第三周边,其中第三周边的一部分与第一周边的第二部分并列,并具有与第二轮廓相同形状的第四轮廓,其中第三掺杂区域为第二MOS晶体管的源极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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