[发明专利]制造半导体器件的方法和设备无效
| 申请号： | 200710148253.3 | 申请日： | 2007-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101140857A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 白谷昌史;森田朋岳 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：(a)获得抛光目标的表面，其中暴露绝缘膜和金属膜(S20)和(b)抛光具有暴露的绝缘膜和暴露的金属膜的该表面(S30、S40)。步骤(b)包括：(b1)在高摩擦力条件下抛光该表面(S30)，和(b2)在步骤(b1)之后，在比该高摩擦力低的普通摩擦力条件下，抛光该表面(S40)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：(a)获得抛光目标的表面，其中暴露绝缘膜和金属膜；和(b)抛光具有所述暴露的绝缘膜和所述暴露的金属膜的所述表面，其中所述步骤(b)包括：(b1)在高摩擦力的条件下抛光所述表面，和(b2)在所述步骤(b1)之后，在比所述高摩擦力低的普通摩擦力条件下，抛光所述表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
