[发明专利]蚀刻液管理装置有效
申请号: | 200710148574.3 | 申请日: | 2007-08-29 |
公开(公告)号: | CN101170063A | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
发明(设计)人: | 中川俊元;佐藤寿邦 | 申请(专利权)人: | 株式会社平间理化研究所 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;H01L21/02;H01L21/00;C23F1/08;G01N35/00;G01N27/06;G01N21/17;G01N9/36 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 将蚀刻液自动控制在规定的硝酸浓度、醋酸浓度及磷酸浓度而且对蚀刻液处理槽的液体补给进行适当的管理、并且使蚀刻性能经常一定化的同时削减使用原液量、大幅度缩短停工时间从而使综合制造成本的减低成为可能。本发明提供一种蚀刻液管理装置,其是在具备贮存含有硝酸的蚀刻液的蚀刻液处理槽、使在所述蚀刻液处理槽中贮存的蚀刻液进行循环的蚀刻液循环机构、输送被利用所述蚀刻液循环机构循环的蚀刻液蚀刻的含铝膜的基板的蚀刻处理机构的蚀刻处理装置中使用的蚀刻液管理装置,其特征在于,具备:对蚀刻液进行取样的蚀刻液取样机构、用纯水稀释利用所述蚀刻液取样机构取样的蚀刻液的稀释机构、通过测定利用所述稀释机构稀释的蚀刻液的电导率而得到与所述蚀刻液的硝酸浓度相关的电导率值的电导率计、基于利用所述电导率计得到的电导率值向所述蚀刻液处理槽供给补充液的补充液供给机构。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 管理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种蚀刻液管理装置,其是在具备贮存含有硝酸的蚀刻液的蚀刻液处理槽、使在所述蚀刻液处理槽中贮存的蚀刻液进行循环的蚀刻液循环机构、和输送被利用所述蚀刻液循环机构循环的蚀刻液蚀刻的含铝膜的基板的蚀刻处理机构的蚀刻处理装置中使用的蚀刻液管理装置,其特征在于,具备: 对蚀刻液进行取样的蚀刻液取样机构;用纯水稀释利用所述蚀刻液取样机构取样的蚀刻液的稀释机构;通过测定利用所述稀释机构稀释的蚀刻液的电导率而得到与所述蚀刻液的硝酸浓度相关的电导率值的电导率计;基于利用所述电导率计得到的电导率值向所述蚀刻液处理槽供给补充液的补充液供给机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造