[发明专利]具有贯通孔的结构体、其制造方法及液体排出头有效
申请号: | 200710148790.8 | 申请日: | 2002-10-24 |
公开(公告)号: | CN101125482A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 早川幸宏;门间玄三;上市真人 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | B41J2/16 | 分类号: | B41J2/16;H01L29/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 何腾云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供的硅等基板上设置贯通孔的结构体,可以减少制造时的工序并提高可靠性。至少在贯通孔(120)的侧面部分连接氧化硅膜(103)的上面形成氮化硅膜(104),改善氮化硅膜(104)的阶梯差的被覆性能。该氧化硅膜(103)及氮化硅膜(104)在从基板(100)内侧通过蚀刻形成贯通孔(120)时起着隔膜的作用。 | ||
搜索关键词: | 具有 贯通 结构 制造 方法 液体 出头 | ||
【主权项】:
1.一种液体排出头的制造方法,所述液体排出头包括半导体基板、氧化硅膜、氮化硅膜,所述氧化硅膜与氮化硅膜设置在所述半导体基板的第一主面上,并且设置贯穿所述半导体基板、所述氧化硅膜、以及所述氮化硅膜的贯通孔,所述制造方法包含以下步骤:与所述贯通孔的位置对应地在所述半导体基板的所述第一主面上形成牺牲层;形成所述氧化硅膜,以便覆盖所述牺牲层和所述半导体基板的所述第一主面的整个面;在所述氧化硅膜之上形成所述氮化硅膜;其后,通过从所述半导体基板的第二个主面蚀刻所述半导体基板,以便除去所述牺牲层,并且通过蚀刻所述氧化硅膜和氮化硅膜,以便形成所述贯通孔。
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