[发明专利]形成具有槽电荷补偿区的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200710148934.X | 申请日： | 2007-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101154567A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 小约翰·M.·帕西;戈登·M.·格里瓦纳;屠尚惠 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施方案中，形成具有槽电荷补偿结构的半导体器件的方法包括将槽侧壁暴露于降低温度的氢解吸附法以改进单晶体半导体层的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 电荷 补偿 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括步骤：提供具有第一主表面的半导体材料的区、覆在所述第一主表面上的电介质区以及在所述半导体材料的区内形成的槽；在从约1000摄氏度到小于约1100摄氏度的温度范围内，将所述槽的表面暴露于氢解吸附过程；以及形成覆在所述槽的所述表面上的多个单晶半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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