[发明专利]激光加工方法和装置,以及半导体芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及激光加工方法和装置，以及半导体芯片及其制造方法，其中该激光加工方法为，向晶片状的加工的对象物内部对准聚光点并照射激光，从而沿着加工对象物的切割预定线在加工对象物的内部形成由多光子吸收产生的改质区域，且在入射至加工对象物的激光的入射方向上改变激光的聚光点的位置，从而沿着入射方向并列地形成多个改质区域，利用多个已形成的改质区域，沿着加工对象物的切割预定线在距加工对象物的激光入射面规定距离的内侧形成成为切割的起点的区域。

主权项

1.一种激光加工方法，其特征在于：向晶片状的加工的对象物内部对准聚光点(condensed point)并照射激光，从而沿着所述加工对象物的切割预定线在所述加工对象物的内部形成由多光子吸收产生的改质区域，且在入射至所述加工对象物的激光的入射方向上改变激光的聚光点的位置，从而沿着所述入射方向并列地形成多个所述改质区域，利用多个已形成的所述改质区域，沿着所述加工对象物的切割预定线在距所述加工对象物的激光入射面规定距离的内侧形成成为切割的起点的区域。