[发明专利]没有栅分隔件应力的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710149125.0 | 申请日： | 2007-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101140928A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李宣姃;慎烘载;徐凤锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/78;H01L21/82;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;李友佳 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明示例性实施例公开了一种防止栅分隔件应力及对硅化物区的物理和化学损坏的半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件包括：基底；隔离区，形成在基底中；栅图案，在基底上形成在隔离区之间；L形分隔件，与栅图案的侧壁相邻，并延伸到基底的表面；源/漏硅化物区，在L形分隔件的延伸到基底的表面的端部和隔离区之间形成在基底上；通孔塞，与源/漏硅化物区电连接；层间电介质层，与L形分隔件相邻，并填充形成在栅图案和基底上的通孔塞之间的空间；信号传输线，形成在层间电介质层上。 | ||
| 搜索关键词： | 没有 分隔 应力 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基底；隔离区，形成在基底中；栅图案，在基底上形成在隔离区之间；L形分隔件，与栅图案的侧壁相邻，并具有延伸到基底的表面的端部；源/漏硅化物区，在L形分隔件的延伸到基底的表面的端部和隔离区之间形成在基底上；通孔塞，与源/漏硅化物区电连接；层间电介质层，与L形分隔件相邻，并填充形成在栅图案和基底上的通孔塞之间的空间；信号传输线，形成在层间电介质层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
