[发明专利]通孔加工方法无效
| 申请号： | 200710149167.4 | 申请日： | 2007-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101140879A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 小林豊;能丸圭司;森数洋司 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/60;B23K26/36 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种通孔加工方法，其能够不熔融焊盘而在晶片基板上形成到达焊盘的通孔。在上述通孔加工方法中，从基板背面侧对晶片照射脉冲激光光线而形成到达焊盘的通孔，上述晶片在基板表面上形成有多个器件，并且在器件上形成有焊盘，其中，将脉冲激光光线的每1脉冲的能量密度设定为如下的值，即，能对基板进行飞溅加工而不能对焊盘进行飞溅加工的值，将脉冲激光光线的脉冲的时间间隔设定为150微秒以上。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通孔加工方法，在该通孔加工方法中，从基板背面侧对晶片照射脉冲激光光线而形成到达焊盘的通孔，其中上述晶片在基板表面形成有多个器件，并且在器件上形成有焊盘，将脉冲激光光线的每1脉冲的能量密度设定为如下的值，即，能对基板进行飞溅加工而不能对焊盘进行飞溅加工的值，将脉冲激光光线的脉冲的时间间隔设定为150微秒以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
