[发明专利]用于电编程半导体存储单元的方法及电路有效

专利信息
申请号: 200710149427.8 申请日: 2007-06-21
公开(公告)号: CN101123118A 公开(公告)日: 2008-02-13
发明(设计)人: L·克里帕;R·米歇洛尼 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司;海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;陈景峻
地址: 意大利*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要: 发明涉及用于电编程半导体存储单元的方法及电路。一种电编程存储单元的方法,包括:给存储单元施加至少一个电编程脉冲;验证该存储单元达到目标编程状态;重复施加和验证动作直到确定该存储单元达到目标编程状态为止。在确定存储单元达到目标编程状态之后,对其施加至少一个另外的电编程脉冲,并在施加该另外的编程脉冲后至少再一次验证该存储单元。如果作为所述进一步验证的结果,没有确定该存储单元达到目标编程状态,则该方法提供给该存储单元施加又一编程脉冲。
搜索关键词: 用于 编程 半导体 存储 单元 方法 电路
【主权项】:
1.一种电编程存储单元的方法,该方法包括:-给存储单元施加至少一个电编程脉冲;-验证该存储单元达到目标编程状态;以及-重复所述施加和验证直到确定该存储单元达到所述目标编程状态为止,其特征在于进一步包括:-在确定存储单元达到目标编程状态之后,给该存储单元施加至少一个另外的电编程脉冲;-在施加该另外的编程脉冲后至少再一次进一步验证该存储单元达到目标编程状态,以及-如果作为所述进一步验证的结果,没有确定该存储单元达到目标编程状态,则给该存储单元施加又一个编程脉冲。
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