[发明专利]具有单多晶结构的闪存器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710149502.0 | 申请日： | 2007-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101140910A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 崔容建 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 这里公开的是一种具有单多晶结构的闪存器件及其制造方法。该方法包括：在具有P阱区或N阱区的半导体衬底上形成氧化物层；在半导体衬底和氧化物层中形成浅沟槽隔离(STI)；通过将掺杂剂注入到P阱区或N阱区的一部分中形成漂移区；随后在阱区、漂移区和STI之上形成栅极氧化物层和多晶硅层；通过对栅极氧化物层和多晶硅层构图而形成控制栅极图形；在控制栅极图形的对侧形成源极区和漏极区；在控制栅极图形上沉积氮化硅层并蚀刻该氮化硅层以在控制栅极图形的侧壁周围形成间隔子；在控制栅极图形上形成多个绝缘层，并形成分别与源极区和漏极区电连接的通孔图形；配备分别与通孔图形电连接的漏极和源极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多晶 结构 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造具有单多晶结构的闪存器件的方法，包括：在具有P阱区或N阱区的半导体衬底上形成氧化物层；在半导体衬底和氧化物层中形成浅沟槽隔离(STI)；通过将掺杂剂注入到P阱区或N阱区的一部分中形成漂移区；随后在所述阱区、所述漂移区和所述STI之上形成栅极氧化物层和多晶硅层；通过对所述栅极氧化物层和所述多晶硅层构图形成控制栅极图形；在所述控制栅极图形的对侧形成源极区和漏极区；在所述控制栅极图形上沉积氮化硅层并蚀刻所述氮化硅层以在所述控制栅极图形的侧壁周围形成间隔子；在所述控制栅极图形上形成多个绝缘层，并形成分别与所述源极区和所述漏极区电连接的通孔图形；以及配备分别与所述通孔图形电连接的漏极和源极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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