[发明专利]制造p－型Ⅲ族氮化物半导体的方法和制造其电极的方法无效
| 申请号： | 200710149595.7 | 申请日： | 2007-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101150056A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 兼近将一;菊田大悟;石黑修;上杉勉;加地彻;杉本雅裕 | 申请（专利权）人： | 株式会社丰田中央研究所 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有优异的可靠性和可再现性的p－型III族氮化物半导体的制造方法。在n－－GaN层表面上形成光刻胶掩模。接着，形成Mg膜以覆盖所述n－－GaN层和所述光刻胶掩模，并在所述Mg膜上形成Ni/Pt金属膜。之后，移除所述光刻胶掩模，由此使得所述Mg膜和所述金属膜仅保留在形成p－型区的部分n－－GaN层上。随后，当在氨气氛中在900℃下实施热处理3小时时，Mg扩散到n－－GaN层中并同时被活化。因此，形成p－型区。此后，利用王水移除所述Mg膜和所述金属膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化物 半导体 方法 电极 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造p-型III族氮化物半导体的方法，所述方法包括在至少含有氨的气氛中使Mg热扩散到III族氮化物半导体层中，从而活化Mg并形成p-型III族氮化物半导体层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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