[发明专利]具有电荷俘获层的非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710149632.4 | 申请日： | 2007-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101211987A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周文植;皮升浩;金龙洙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非易失性存储器件，包括：基板；在基板上方的隧道层；在隧道层上方的电荷俘获层，包括氮化物层和氮化硅硼层；在电荷俘获层上方的阻隔层；和布置在阻隔层上的控制栅电极。此外，还提供了一种非易失性存储器件，包括：基板；在基板上方的隧道层；在隧道层上方的电荷俘获层，包括第一氮化物层、氮化硅硼层和第二氮化物层；在电荷俘获层上方的阻隔层；和布置在阻隔层上的控制栅电极。本发明还涉及非易失性存储器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电荷 俘获 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：基板；在所述基板上方的隧道层；在所述隧道层上方的电荷俘获层，包括氮化物层和氮化硅硼层；在所述电荷俘获层上方的阻隔层；和在所述阻隔层上方的控制栅电极。
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