[发明专利]旋转检测装置有效
| 申请号： | 200710149707.9 | 申请日： | 2005-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101113913A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 石王诚一郎;角谷和好 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | G01D5/14 | 分类号： | G01D5/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡洪贵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种检测磁转子(RT)旋转的旋转检测装置，包括：具有磁阻装置(1，2，MRE1－MRE4)的传感器芯片(11)；以及偏磁磁体(13)。磁阻装置(1，2，MRE1－MRE4)能检测传感器芯片(11)附近的磁矢量变化，从而旋转检测装置检测磁转子(RT)的旋转。磁矢量的变化是由偏磁磁场和磁转子(RT)旋转产生的。偏磁磁体(13)布置在传感器芯片(11)周围，从而可以控制磁矢量偏转角度。 | ||
| 搜索关键词： | 旋转 检测 装置 | ||
【主权项】：
1.一种检测磁转子(RT)旋转的旋转检测装置，所述装置包括：具有磁阻装置(1，2，MRE1-MRE4)的传感器芯片(11)；以及对磁阻装置(1，2，MRE1-MRE4)施加偏磁磁场的偏磁磁体(13)；其中：偏磁磁体(13)和传感器芯片(11)是以使偏磁磁体(13)布置在传感器芯片(11)周围的方式集成的；磁阻装置(1，2，MRE1-MRE4)能根据磁阻装置(1，2，MRE1-MRE4)的阻值变化检测传感器芯片(11)附近的磁矢量变化，使旋转检测装置检测磁转子(RT)的旋转；磁矢量变化是由偏磁磁场和磁转子(RT)旋转产生的；偏磁磁体(13)包括中空部分(14)；传感器芯片(11)装在偏磁磁体(13)的中空部分(14)中；中空部分(14)包括一个内壁，该内壁朝向磁阻装置(1，2，MRE1-MRE4)；以及偏磁磁体(13)在朝向磁阻装置(1，2，MRE1-MRE4)的内壁附近具有低磁场强度部分，低磁场强度部分的低磁场强度小于偏磁磁体(13)其它位置的磁场强度。
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