[发明专利]改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法，其是将玻璃衬底放在真空室内；采用等离子增强化学气相沉积或者热丝技术在衬底上沉积P层微晶硅薄膜；采用和沉积P层微晶硅薄膜相同的沉积方法沉积I层本征微晶硅薄膜，根据P层微晶硅薄膜沉积后对的腔室环境，对随后生长的I层本征微晶硅薄膜进行硼补偿，达到对随后生长的I层本征微晶硅薄膜中硼浓度的有效控制，并控制I层本征微晶硅薄膜内硼的浓度在10¹⁶cm^－3～10¹⁷cm^－3量级范围内。这样利用单室沉积和原位的补偿实现本征微晶硅薄膜质量的改善，既不增加新的设备改造投资，又避免了交叉污染的难点，同时还有效提高电池效率。

主权项

1.一种改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将衬底放在真空腔室内；B、在衬底上沉积P层微晶硅薄膜；C、采用和沉积P层微晶硅薄膜相同的沉积方法沉积I层本征微晶硅薄膜，根据P层微晶硅薄膜沉积后的腔室环境，对随后生长的I层本征微晶硅薄膜进行硼补偿，控制该I层本征微晶硅薄膜内硼的浓度在1016cm-3～1017cm-3量级范围内。