[发明专利]双掺铌酸锂晶体无效
| 申请号： | 200710150590.6 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101169569A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘士国;吴胜青;孔勇发;许京军;陈绍林;黄自恒;张玲 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种双掺铌酸锂晶体，本发明属非线性光学晶体领域。其化学式可表示为：LiNbO3∶Fe，Zr，其中Fe2O3的掺杂范围是：0.01～0.05wt％，ZrO2的掺杂范围是0.4～6.0mol％。本发明将抗光折变掺杂离子Zr4+和光折变离子Fe3+共同掺入铌酸锂晶体中，具有掺杂阈值低，易于生长出高品质晶体的特点，且晶体具有优异的光折变性能，其光折变响应时间比掺铁铌酸锂晶体缩短两个量级，比镁铁双掺铌酸锂晶体减少近1个量级，比铪铁双掺铌酸锂晶体缩短了五倍；光折变灵敏度比铪铁双掺铌酸锂晶体提高了2～3倍。本发明之锆铁铌酸锂晶体，具有优于其它双掺(如镁铁、铟铁、锌铁、铪铁等)铌酸锂晶体光折变性能的特点，因此在三维体全息存储的应用上具有巨大的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 双掺铌酸锂 晶体 | ||
【主权项】：
1.一种双掺铌酸锂晶体，其特征在于该晶体中同时掺入铁和锆，其化学式可表示为：LiNb03:Fe，Zr，其中Fe2O3的掺杂范围是：0.01～0.05wt％，ZrO2的掺杂范围是0.4～6.0mol％。
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