[发明专利]通过部分刻蚀图案化抗反射涂层层的方法无效
| 申请号： | 200710151302.9 | 申请日： | 2007-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101150052A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 桑德拉·海岚德;香农·迪恩 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/311;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 描述了一种图案化薄膜的方法。该方法包括在衬底上形成要图案化的薄膜，在薄膜上形成抗反射涂层(ARC)层，并在ARC层上形成掩模层。其后，对掩模层图案化以在其中形成图案，并且利用诸如刻蚀工艺之类的转移工艺将图案部分转移到ARC层。一旦去除了掩模层，就利用刻蚀工艺将图案完全转移到ARC层，并且利用另一刻蚀工艺将ARC层中的图案转移到下层的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 部分 刻蚀 图案 反射 涂层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图案化衬底上的薄膜的方法，包括：在所述衬底上准备膜叠层，所述膜叠层包括形成在所述衬底上的所述薄膜、形成在所述薄膜上的抗反射涂层层以及形成在所述抗反射涂层层上的掩模层；在所述掩模层中形成图案；通过将所述图案转移到小于所述抗反射涂层层的厚度的某一深度，来将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层；在将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层之后去除所述掩模层的剩余部分；通过刻蚀所述抗反射涂层层完成所述图案到所述抗反射涂层层的转移；以及将所述图案转移到所述薄膜，同时基本消耗光所述抗反射涂层层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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