[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 200710151690.0 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101399302A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 吴易座 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁 挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾省台北县土*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管，至少包含了基材、N型及P型半导体层、奥姆接触层、发光层、金属层与电极。在N型半导体层中设置一奥姆接触层与一金属层，由金属层与N型半导体层直接接触，以增加电流导入N型半导体层的均匀分布程度，有效提升发光二极管的发光效率，与降低发光二极管的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1. 一种发光二极管，其特征在于，至少包含：一基材；一N型半导体层状构造，该N型半导体层状构造设置于该基材上，且该N型半导体层状构造至少包含一第一奥姆接触层与一第一金属层，在该第一金属层上设置一第一电极；一发光层，该发光层设置于该N型半导体层状构造上；以及一P型半导体层状构造，该P型半导体层状构造设置于该发光层上，且该P型半导体层状构造至少包含一第二奥姆接触层与一第二金属层，在该第二金属层上设置一第二电极；其中，该发光层落于该第一金属层的投影面积，完全落入该第一金属层的面积范围中，落于该第二金属层的投影面积完全落入第二金属层的面积范围中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亿光电子工业股份有限公司，未经亿光电子工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710151690.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种折叠式服装运输箱
- 下一篇：缝纫机的下线切断装置
