[发明专利]光能电池及其红光转换层无效
申请号: | 200710152316.2 | 申请日: | 2007-09-26 |
公开(公告)号: | CN101188255A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 | 申请(专利权)人: | 罗维鸿 |
主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055;H01L31/0232 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200231上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明系关于一种光能电池及其红光转换层,该转换层的特征在于可吸收太阳光谱紫外线、紫、蓝、浅蓝、黄-绿部分,并变换为红光、暗红光以及近红外线的次能带辐射。该转换层的吸收光谱最大值位于λ=470~490nm的区域,再辐射光谱最大值位于700~900nm的区域,与硅基太阳能电池最佳灵敏度区域相符合。在本发明的硅基太阳能电池中,该转换层填充乙基乙酸乙烯酯或聚碳酸酯类型的透光聚合物,聚合物中填充α-Al2O3-Ti2O3组成的荧光粉,其辐射量子效率达到90%。 | ||
搜索关键词: | 光能 电池 及其 红光 转换 | ||
【主权项】:
1.一种硅基光能电池,其系由一硅片构件组,覆盖一玻璃,以及于两者之间的一转换层组成,其特征在于:该转换层可吸收太阳辐射的紫外线、蓝-紫或黄-绿光部分,同时将其光变换为光致发光,该转换层可吸收太阳辐射的最大值,使该转换层的光致发光光谱最大值位于单晶硅光敏性光谱区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的