[发明专利]薄膜晶体管基底的制造方法无效
| 申请号： | 200710152434.3 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101162710A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李德重;宋大昊;金京燮;李庸懿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1333;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;李友佳 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基底的制造方法，该方法包括：在基底上形成栅极绝缘膜和有源层；在有源层上形成包括第一金属层、第二金属层和第三金属层的数据金属层；在数据金属层上形成第一光致抗蚀剂图案；通过利用第一光致抗蚀剂图案对第三金属层进行干蚀刻；通过利用第一光致抗蚀剂图案对第二金属层和第一金属层同时进行干蚀刻；通过利用第一光致抗蚀剂图案对有源层进行干蚀刻；对第一光致抗蚀剂图案进行蚀刻以形成第二光致抗蚀剂图案，其中，通过第二光致抗蚀剂图案来去除沟道区；通过利用第二光致抗蚀剂图案对数据金属层的沟道区进行干蚀刻来形成源电极和漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 基底 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基底的制造方法，所述方法包括：在基底上顺序地形成栅极绝缘膜和有源层，其中，基底具有栅极布线，栅极布线包括栅极线和栅电极，栅电极与形成在基底上的栅极线连接；在有源层上形成数据金属层，数据金属层包括顺序地设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层；在数据金属层上形成第一光致抗蚀剂图案，第一光致抗蚀剂图案在沟道区处的厚度小于在相邻区域处的厚度；通过利用第一光致抗蚀剂图案对第三金属层进行干蚀刻；通过利用第一光致抗蚀剂图案对第二金属层和第一金属层同时进行干蚀刻，以形成数据线；通过利用第一光致抗蚀剂图案对有源层进行干蚀刻；去除第一光致抗蚀剂图案的一部分以形成第二光致抗蚀剂图案，通过第二光致抗蚀剂图案来去除沟道区；通过利用第二光致抗蚀剂图案对数据金属层的沟道区进行干蚀刻来形成源电极和漏电极，其中，源电极与数据线连接，漏电极与源电极分开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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