[发明专利]隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器有效
| 申请号： | 200710152798.1 | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101183704A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 佐藤雅重;梅原慎二郎;指宿隆弘 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01F10/32;H01F10/16;G11B5/39;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器，在该隧道磁阻器件中，势垒层设置在被钉扎层上，该被钉扎层由具有固定磁化方向的铁磁材料制成，该势垒层具有允许电子以隧道现象穿过的厚度。第一自由层设置在该势垒层上，该第一自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的非晶或细晶软磁材料制成。第二自由层设置在该第一自由层上，该第二自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的晶体软磁材料制成，该第二自由层与该第一自由层交互耦合。本发明提供了具有良好的磁特性并且可抑制隧道电阻变化率变低的隧道磁阻器件。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 磁阻 器件 制造 方法 磁头 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种隧道磁阻器件，包括：被钉扎层，由具有固定磁化方向的铁磁材料制成；势垒层，设置在该被钉扎层上，并且具有允许电子以隧道现象穿过的厚度；第一自由层，设置在该势垒层上，并且由在外部磁场下磁化方向发生改变的非晶或细晶软磁材料制成；以及第二自由层，设置在该第一自由层上，并且由在外部磁场下磁化方向发生改变的晶体软磁材料制成，该第二自由层与该第一自由层交互耦合。
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