[发明专利]用于制造p^－掺杂及外延涂覆的硅半导体晶片的方法有效

申请号：	200710152826.X	申请日：	2007-09-18
公开（公告）号：	CN101187056A	公开（公告）日：	2008-05-28
发明（设计）人：	W·v·阿蒙;中居克彦;M·韦伯;H·施密特;碇敦	申请（专利权）人：	硅电子股份公司
主分类号：	C30B15/00	分类号：	C30B15/00;H01L21/322
代理公司：	永新专利商标代理有限公司	代理人：	过晓东
地址：	德国***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	本发明涉及用于制造p^－掺杂及外延涂覆的硅半导体晶片的方法，其中根据Czochralski法拉伸硅单晶，并在此期间用硼、氢和氮进行掺杂，将其加工成外延涂覆的p^－掺杂的半导体晶片。
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【主权项】：

1.用于制造p-掺杂及外延涂覆的硅半导体晶片的方法，其中根据Czochralski法拉伸硅单晶，并在此期间用硼、氢和氮进行掺杂，将其加工成外延涂覆的p-掺杂的半导体晶片。

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