[发明专利]磁阻效应器件以及使用它的磁性随机存取存储器

摘要

一种磁阻效应元件(1)，包括具有基本上固定磁化方向的磁化固定层(3)。磁化可变层(2)具有可变磁化方向，由具有BCC结构并且由Fe_1－x－yCo_xNi_y(0≤x+y≤1，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的磁性合金组成，并且包含0＜a≤20at％(a是含量)范围内的V，Cr和Mn中至少一种添加元素。中间层(4)置于磁化固定层(3)和磁化可变层(2)之间并且由非磁性材料组成。由经过磁化固定层(3)、中间层(4)和磁化可变层(2)的双向电流翻转磁化可变层(2)的磁化方向。

主权项

1.一种磁阻效应元件，其特征在于包括：具有基本上固定的磁化方向的磁化固定层；磁化可变层，其具有可变的磁化方向，由具有BCC结构并由Fe1-x-yCoxNiy(0≤x+y≤1，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的磁性合金形成，并且包含在0＜a≤20 at％(a是含量)范围内的V、Cr和Mn中的至少一种添加元素；以及置于所述磁化固定层和所述磁化可变层之间并且由非磁性材料形成的中间层，其中由经过所述磁化固定层、所述中间层和所述磁化可变层的双向电流翻转所述磁化可变层的磁化方向。