[发明专利]存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200710152889.5 | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101207152A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 格哈德·I·梅杰;西格弗里德·F·卡格 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/336;H01L27/112;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 许向华;张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储单元(10)，包括：至少源电极(MS)，形成在基板上(6)；至少漏电极(MD)，形成在该基板上(6)；至少耦合层(1)，形成在该源电极(MS)和该漏电极(MD)之间，和至少栅电极(MG)，形成在基板上，其中：该耦合层(1)包括过渡金属氧化物，表现出填充受控的金属绝缘体转换特性；该栅电极(MG)包括氧离子导体层(2)，和相对于该耦合层(1)布置该栅电极(MG)使得对该栅电极(MG)使用电信号引起该耦合层(1)中氧空位(3)浓度的改变。本发明还涉及一种存储单元(10)的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元(10)，包括：至少源电极(MS)，形成在基板上(6)；至少漏电极(MD)，形成在该基板上(6)；至少耦合层(1)，在该源电极(MS)和该漏电极(MD)之间，和至少栅电极(MG)，形成在该基板(6)上，其中：该耦合层(1)包括表现出填充受控的金属绝缘体转换特性的过渡金属氧化物；该栅电极(MG)包括氧离子导体层(2)，和相对于该耦合层(1)布置该栅电极(MG)使得对该栅电极(MG)使用电信号引起该耦合层(1)中氧空位(3)浓度的改变。
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