[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 200710153006.2 | 申请日： | 2007-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101149966A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 酒向淳匡 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 宋鹤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 除了升压电源电路升压电源电压以向存储核心提供升压电压VPP之外，提供构成静态电容器的单元电容器和向单元电容器的连接点提供中点电势的偏压电路，还有降低升压电压到设定值的箝位电路，其中当升压电源电路停止升压操作时，箝位电路将升压电压箝位到设定值，因此其后在到常规运行的转换中可阻止中点电势在很大程度上偏离到升压电压一侧和地电势一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：存储核心部分，包括多个存储单元；升压电源电路，升压第一电源电压以向存储核心部分提供第二电源电压；第一和第二电容器，在从升压电源电路供应的第二电源电压的电源线和地之间串联连接；偏压生成电路，向第一和第二电容器的连接点施加中点电势；以及箝位电路，当升压电源电路停止升压操作时，将第二电源电压降低到设定值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710153006.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
