[发明专利]半导体发光元件无效
| 申请号： | 200710153114.X | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101154796A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 大野彰仁;竹见政义;富田信之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种初始恶化率较小、长寿命的半导体发光元件。半导体激光器元件(101)具有夹持在n型覆盖层(104)与p型覆盖层(109)之间的活性层(106)。p型覆盖层(109)含有镁作为杂质，在活性层(106)与p型覆盖层(109)之间设置了由以InxAlyGa1－x－yN(其中，x≥0、y≥0、x+y＜1)表示的氮化物系化合物半导体构成的n型防扩散层(107)。n型防扩散层(107)中的n型杂质的掺杂浓度优选为5×1017cm－3以上且5×1019cm－3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，具有由氮化物系化合物半导体构成的n型覆盖层、形成在该n型覆盖层上并由氮化物系化合物构成的活性层、形成在该活性层上并由氮化物系化合物半导体构成的p型覆盖层，其特征在于：所述p型覆盖层含有镁作为杂质；在所述活性层与所述p型覆盖层之间，设置了由以InxAlyGa1-x-yN表示的氮化物系化合物半导体构成的n型防扩散层，其中，x≥0、y≥0、x+y＜1。
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