[发明专利]剥离装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200710153241.X | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101154561A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 江口晋吾;门马洋平;谷敦弘;广末美佐子;桥本健一;保坂泰靖 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/77;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法，其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间，薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧，薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲，从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离，以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等，从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从衬底上剥离形成在所述衬底上的包括结构物的层的剥离装置，包括：在改变包括所述结构物的层的形状的同时，从所述衬底上剥离所述包括结构物的层的单元；以及向通过剥离包括所述结构物的层而露出的表面供应液体的单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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