[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法

摘要

本发明揭示一种背照式图像传感器及其制造方法。所述图像传感器的制造方法包括提供一基底，其具有一第一导电型及一第一电位。在基底内形成具有一第二导电型的一耗尽区。延伸耗尽区。缩减基底的厚度。在基底的一背表面注入具有第一导电型及一第二电位的离子，以形成一掺杂层。对掺杂层进行激光退火，以激活具有第一导电型的离子。本发明的背照式图像传感器及其制造方法通过在P^－基底背表面注入P⁺离子之前，缩减P^－基底的厚度而形成用以提供电性接地并降低漏电流的浅P⁺层。另外，进行激光退火以激活注入的离子，传感器的金属层不会因此而受到影响，因此光灵敏度可在不影响装置效能及无需考虑外扩散的情形下获得改善。

主权项

1.一种背照式图像传感器，包括：一基底，具有一第一导电型及一第一电位；一耗尽区，形成于该基底内，且具有一第二导电型；一掺杂层，形成于该基底的一背表面，且具有该第一导电型及一第二电位；以及一光电二极管，形成于该基底的一前表面。