[发明专利]双稳态可编程电阻式随机存取存储器无效
申请号: | 200710153723.5 | 申请日: | 2007-09-14 |
公开(公告)号: | CN101170121A | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
发明(设计)人: | 何家骅;赖二琨 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一双稳态可编程电阻式随机存取存储器包括多个存储单元,每个存储单元具有多个存储层堆叠。每个存储层堆叠包括导电层,位于可编程电阻式随机存取存储层上。第一存储层堆叠位于第二存储层堆叠上,且第二存储层堆叠位于第三存储层堆叠上。第一存储层堆叠具有第一导电层,位于第一可编程电阻式随机存取存储层上。第二存储层堆叠具有第二导电层,位于第二可编程电阻式随机存取存储层上。第二可编程电阻式随机存取存储层所具有的存储面积较第一可编程电阻式随机存取存储层所具有的存储面积大。 | ||
搜索关键词: | 双稳态 可编程 电阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】:
1.一种存储装置,包括:第一导电构件,位于第一可编程电阻式随机存取存储构件上,该第一可编程电阻式随机存取存储构件具有表示第一电阻值的面积,该第一导电构件及该第一可编程电阻式随机存取存储构件皆具有数个侧边;及第二导电构件,位于第二可编程电阻式随机存取存储构件上,该第一可编程电阻式随机存取存储构件位于该第二导电构件上,该第一可编程电阻式随机存取存储构件与该第二可编程电阻式随机存取存储构件串联,该第二可编程电阻式随机存取存储构件具有表示第二电阻值的面积,该第二可编程电阻式随机存取存储构件所具有的面积大于该第一可编程电阻式随机存取存储构件所具有的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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