[发明专利]磁性存储器、其存储单元及其存储单元的制造方法有效
| 申请号： | 200710153739.6 | 申请日： | 2007-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101304038A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 何家骅 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L21/82;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种磁性存储器、其存储单元及其存储单元的制造方法。此磁性存储器的存储单元包括一底接触层、一位线、一磁性堆叠结构以及一介电材料。位线设置于底接触层的上方。磁性堆叠结构设置于底接触层及位线之间。介电材料至少充填于底接触层及位线之间，并且包围磁性堆叠结构，介电材料与磁性堆叠结构间具有一间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性存储器的存储单元，包括：一底接触层；一位线，设置于该底接触层的上方；一磁性堆叠结构，设置于该底接触层及该位线之间；以及一介电材料，至少充填于该底接触层及该位线之间，该介电材料包围该磁性堆叠结构，且与该磁性堆叠结构间具有一间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
