[发明专利]具有良好的内在吸收能力的硅晶片及其制造方法

摘要

本发明涉及具有良好的内在吸收能力的硅晶片及其制造方法，所述硅晶片在其整个体积内晶格空位是主要的点缺陷类型，该硅晶片具有宽度至少为该硅晶片半径的80％的基于其轴旋转对称的区域、密度为0至10cm^－2的OSF种子以及在其内部的5×10⁸cm^－3至5×10⁹cm^－3的平均BMD密度，该BMD密度在该硅晶片的整个半径中在径向上最大改变10倍，而且该硅晶片至少在该硅晶片的正面上具有不含BMD的层，其特征在于，在该硅晶片的整个正面上第一BMD位于至少为5μm的深度，且该第一BMD位于平均至少8μm的深度。

主权项

1.硅晶片，在其整个体积内晶格空位是主要的点缺陷类型，该硅晶片具有宽度至少为该硅晶片半径的80％的基于其轴旋转对称的区域，该区域具有尺寸至少为30nm密度最大为6×103cm-3的晶格空位的附聚物以及尺寸为10nm至30nm密度为1×105cm-3至3×107cm-3的晶格空位的附聚物，该硅晶片具有密度为0至10cm-2的OSF种子以及在其内部的5×108cm-3至5×109cm-3的平均BMD密度，该BMD密度在该硅晶片的整个半径中在径向上最大改变10倍，而且该硅晶片至少在该硅晶片的正面上具有不含BMD的层，其特征在于，在该硅晶片的整个正面上第一BMD位于至少为5μm的深度，且该第一BMD位于平均至少8μm的深度。