[发明专利]在晶片内形成导电线路的方法无效
| 申请号： | 200710154229.0 | 申请日： | 2007-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101388357A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 杨学安 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在晶片内形成导电线路的方法，利用干式蚀刻或激光烧蚀的方式在晶片上表面形成开孔，再将锡膏涂布于开孔上，并将晶片置于一真空的环境内且将锡膏加热融化。破坏此真空环境使得施加在晶片上表面的气体压力大于开孔内的气体压力，由此将熔融的锡膏挤入开孔内。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 形成 导电 线路 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在片内形成导电线路的方法，包含下列步骤：提供一晶片；自该晶片的上表面形成多个开孔；将锡膏涂布于这些开孔上；将这些锡膏加热融化；及最该晶片得上表面形成有第一气压的环境，且自这些开孔内形成有第二气压的环境，其中该第一气压大于第二气压，由此将这些熔融的锡膏挤入这些开孔内。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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