[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种薄膜电薄膜晶体管的制造方法。在基板上依序形成多晶硅岛状物、栅绝缘层与栅极。在栅极两侧下方的多晶硅岛状物内形成一浅掺杂漏极区，而栅极正下方的多晶硅岛状物为一沟道区。进行一金属氧化制程，以在栅极上形成一栅极氧化层。在于栅极氧化层两侧下方的多晶硅岛状物内形成一源极/漏极。在栅绝缘层上形成一介电层。移除部分介电层与栅绝缘层，以暴露出部分源极/漏极，并形成一图案化介电层与一图案化栅绝缘层。在图案化介电层上形成一源极/漏极导体层，其中源极/漏极导体层分别与源极/漏极电性连接。因此，此薄膜晶体管制造方法所需的掩模数较少。

主权项

1. 一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于包括：形成一多晶硅岛状物于一基板上；形成一栅绝缘层于该基板上，并覆盖住该多晶硅岛状物；形成一栅极于该多晶硅岛状物上方的该栅绝缘层上；进行一浅掺杂离子植入制程，以于该栅极两侧下方的该多晶硅岛状物内形成一浅掺杂漏极区，而该栅极正下方的该多晶硅岛状物为一沟道区；进行一金属氧化制程，以在该栅极上形成一栅极氧化层；进行一离子植入制程，以于该栅极氧化层两侧下方的该多晶硅岛状物内形成一源极/漏极，而该浅掺杂漏极区位于该源极/漏极与该沟道区之间；形成一介电层于该栅绝缘层上，以覆盖该栅极氧化层；移除部分该介电层与该栅绝缘层，以暴露出部分该源极/漏极，并形成一图案化介电层与一图案化栅绝缘层；以及形成一源极/漏极导体层于该图案化介电层上，其中该源极/漏极导体层分别与该源极/漏极电性连接。