[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 200710154356.0 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101154564A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 基村雅洋 | 申请（专利权）人： | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/67;B08B3/04;F26B21/14 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐恕 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置，防止由在基板表面形成的复杂构造(沟道和空穴)引起的干燥不良。在处理槽(31)中用纯水对基板(9)进行的清洗处理结束后，通过从酒精供给部(37)向处理槽(31)供给酒精，用酒精置换处理槽(31)内的处理液(91)。在容器(40)内的处理槽(41)中对基板(9)进行利用氟系溶剂液体的清洗，然后，从处理槽(41)中提升基板(9)，在容器(40)内用氟系溶剂的气体进行干燥处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，对基板进行处理，其特征在于，包括：处理槽，其贮存氟系溶剂的液体；容器，其收容所述处理槽；保持机构，其在所述容器内处于保持着基板的状态下，使基板在设置于所述处理槽内的第一位置和设置于所述处理槽上方的第二位置之间移动；气体供给装置，其使保持着在所述第一位置通过氟系溶剂的液体而被处理过的基板的所述保持机构从所述第一位置向所述第二位置移动，并向所述保持机构上所保持的基板供给氟系溶剂的气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本网目版制造株式会社，未经大日本网目版制造株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710154356.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
