[发明专利]光掩模坯料和光掩模及它们的制造方法、光掩模中间体及图案的复制方法有效
申请号: | 200710154387.6 | 申请日: | 2007-09-26 |
公开(公告)号: | CN101154032A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 井村和久;中西胜彦 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F7/20;G03F7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的课题,在于提供能够在搬运及往光刻机上安装等的处理中,防止遮光膜周边部分的剥离、抑制起因于遮光膜的剥离而产生的微粒的光掩模坯料。在本发明中,通过下列工序制造光掩模坯料:成膜工序,该成膜工序将沿着透光性基板(1)的主表面(1a)的周边的外周部分,作为非形成区域(2a),在该主表面(1a)上,形成遮光膜(2);涂敷工序,该涂敷工序向包含形成遮光膜(2)的区域的涂敷抗蚀剂膜(3),利用抗蚀剂膜(3)覆盖所述遮光膜(2)的周边;抗蚀剂膜周边除去工序,该抗蚀剂膜周边除去工序除去涂敷的抗蚀剂膜(3)的周边部分(3a),从而使所述遮光膜(2)的周边部分(2b)露出。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 坯料 它们 制造 方法 中间体 图案 复制 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模坯料,在透光性基板的主表面上形成遮光膜并在该遮光膜上形成抗蚀剂膜的光掩模坯料,其特征在于:形成所述遮光膜的区域大于形成所述抗蚀剂膜的区域,所述遮光膜的周边部分,从所述抗蚀剂膜的周边向外侧露出。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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