[发明专利]采用超临界二氧化碳/化学制剂去除图案化硅/二氧化硅上的粒子污染物无效
| 申请号： | 200710154706.3 | 申请日： | 2003-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101215493A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·B·克赞斯基;埃利奥多·G·根丘;许从应;托马斯·H·包姆 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | C11D1/00 | 分类号： | C11D1/00;C11D3/20;B08B3/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及采用超临界二氧化碳/化学制剂去除图案化硅/二氧化硅上的粒子污染物。该制剂含有超临界二氧化碳(SCCO2)、醇、氟源和任选的羟基添加剂。此种制剂克服了SCCO2作为清洗剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性及与其相关的不能溶解诸如无机盐和极性有机化合物类型的物质，所述类型的物质以微粒污染物形式存在于晶片基片上并且为了有效清洗必须从半导体基片上除去。该制剂能实现Si/SiO2基片上带有微粒污染物的基片的无损伤、无残留物清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 临界 二氧化碳 化学 制剂 去除 图案 二氧化硅 粒子 污染物 | ||
【主权项】：
1.一种超临界二氧化碳(SCCO2)基清洗组合物，其包括至少一种醇、氟源、和任选包括羟基添加剂，其中所述组合物用于从其上具有粒子污染物的基片上去除所述粒子污染物。
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